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三星第二代 3nm工艺SF3已开始试生产
据业内人士消息，三星电子代工厂已开始试生产其第二代3nm级工艺SF3。该公司计划在未来六个月内将该工艺的良率提高至60%以上。
首个采用三星SF3工艺的芯片将是专为可穿戴设备设计的应用处理器，预计将用于今年晚些时候发布的Galaxy Watch 7等产品。同时，该公司还计划为明年的Galaxy S25系列智能手机所搭载的Exynos 2500芯片使用这一节点。
三星表示，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。