首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线

    此项成果使用 8 寸 SOI 硅光晶圆键合 8 寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，为目前全球综合性能最优的光电集成芯片。

    未来，随着基于铌酸锂的光源、光调制、光探测等重要器件的实现，铌酸锂光子集成芯片有望像硅基集成电路一样，成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台，在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。