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X-FAB增强其180纳米车规级高压CMOS代工解决方案
模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高压CMOS半导体制造平台，增加全新40V和60V高压基础器件——这些器件具有可扩展SOA，提高运行稳健性。与上一代平台相比，此次更新的第二代高压基础器件的RDSon阻值降低高达50%，为某些关键应用提供更好的选择——特别适合应用在需要缩小器件尺寸并降低单位成本的系统中。
XP018平台作为一款模块化180纳米高压EPI技术解决方案，基于低掩模数5V单栅极核心模块，支持-40°C至175°C的宽温度范围，并提供一系列可选的器件和模块——包括高增益双极器件、标准和高电容密度MIM电容器、多阈值（Vt）选项、肖特基二极管和耗尽型器件。
该平台搭载高可靠性汽车NVM解决方案，如嵌入式闪存（Eflash）、EEPROM和OTP，专为成本敏感型和稳健型汽车、工业及医疗应用而设计。