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消息称台积电最快在2028年A14P制程启用High-NA EUV光刻技术

         日台媒《电子时报》(DIGITIMES)报道称,台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV光刻技术。

 

台积电目前正式公布的最先进制程为 A16,该工艺将支持背面供电网络(BSPDN),定于 2026 下半年量产。从目前消息来看,在 A16 上台积电仍将采用传统的 Low NA (0.33NA) EUV 光刻机。在 A16 后的下一代工艺 A14 预计于 2026 上半年进入风险试产阶段,最快 2027 年三季度量产,该节点的主力光刻设备仍将是 ASML 的 NXE:3800E Low NA EUV 机台。

 

报道还提到,台积电已完成量产用 ASML High NA EUV 光刻机的首阶段采购