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SK海力士率先量产12层HBM3E芯片
SK海力士近日宣布，其全球率先开始量产12层HBM3E芯片，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量；公司将在年内向客户提供此次产品。
与 8 层产品相比，12 层 HBM3E 芯片在保持相同厚度的前提下，将存储容量提升了 50%。这一成就得益于 SK 海力士在 DRAM 芯片制造工艺上的突破，将芯片厚度减少 40%，并采用硅通孔 ( TSV ) 技术实现垂直堆叠。
此外，在堆叠更多变薄芯片的过程中，SK 海力士还成功解决了结构性问题。公司运用其核心的先进 MR-MUF 工艺，提升了产品的散热性能 10%，并有效控制了翘曲问题，确保了产品的稳定性和可靠性。