全球SiC专利战升温

数据显示，2023 年披露的相关发明数量较 2021 年高出了 50% 有余。不仅如此，不少既有专利持有者还积极拓展其碳化硅发明的保护范围。随着电动汽车领域对碳化硅功率器件大规模应用的预期增强，众多碳化硅企业纷纷在该行业的关键战略区域加大专利申请力度。

在企业的知识产权策略方面，部分碳化硅器件市场参与者正着力打造垂直整合的制造基础设施，采用集成器件制造商（IDM）商业模式，将碳化硅制造的各个环节都整合在企业内部。

技术角度来看，多数企业已将沟槽 MOSFET 纳入自身技术路线，使得该领域专利申请日益增多，竞争愈发激烈。